Vishay IRFBF20SPBF
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-06-30
LTD Date2008-09-30
Parti correlate
STMicroelectronicsSTB8NM60T4
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 8 A, 1 Ohm, TO-263 (D2PAK), 3 Pins, Surface Mount
STMicroelectronicsSTB6NK90ZT4
N-channel 900 V, 1.56 Ohm, 5.8 A D2PAK Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
Descrizioni
Descrizioni di Vishay IRFBF20SPBF fornite dai suoi distributori.
Single N-Channel 900 V 8 Ohms Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
N Channel Mosfet, 900V, 1.7A D2-Pak; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:900V; Continuous Drain Current Id:1.7A; On Resistance Rds(On):8Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V Rohs Compliant: No
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -33.77%
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.7 A
Drain to Source Resistance8 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time32 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance490 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation54 W
Min Breakdown Voltage900 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation3.1 W
Rds On Max8 Ω
Resistance8 Ω
Rise Time21 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time56 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità