Vishay IRFS11N50ATRRP
$ 1.45
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TTI | IRFS11N50ATRRP | 0 | 800 | Tape & Reel | 20h | |||||||
| Avnet | IRFS11N50ATRRP | 0 | 800 | 20h | ||||||||
| TTI Europe | IRFS11N50ATRRP | 0 | 800 | Tape & Reel | 22h | |||||||
| Esaler Electronic | IRFS11N50ATRRP | 800 | 3d | |||||||||
| Component Stockers USA | IRFS11N50ATRRP | 640 | 3d |
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay IRFS11N50ATRRP.
Parti correlate
STMicroelectronicsSTB13N60M2
N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
Descrizioni
Descrizioni di Vishay IRFS11N50ATRRP fornite dai suoi distributori.
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
MOSFET N-CHANNEL 500V
N-CH SINGLE 500V TO263
NCHAN IRFS11N50ATRRP
500V N-CH MOS
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Resistance520 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time28 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.423 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation170 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max520 mΩ
Rise Time35 ns
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Schede tecniche e documenti
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