Texas Instruments CSD19536KTT
$ 2.18
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Questo componente
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Price @ 1000
$ 2.18
$ 1.465
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Stock
571,696
779,595
779,595
Authorized Distributors
4
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-263
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
200 A
180 A
180 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
2.4 mΩ
4.3 mΩ
4.3 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
16 V
16 V
Power Dissipation
375 W
370 W
370 W
Input Capacitance
12 nF
11.36 nF
11.36 nF
Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Risorse di progettazione
Visualizza i kit di valutazione e i progetti di riferimento per Texas Instruments CSD19536KTT.
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Power MOSFET, N Channel, 100 V, 214 A, 0.0035 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Descrizioni
Descrizioni di Texas Instruments CSD19536KTT fornite dai suoi distributori.
100-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single D2PAK, 2.4 mOhm 2-DDPAK/TO-263 -55 to 175
Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 272A 3-Pin TO-263 T/R
MOSFET 100V N-Channel NexFET Power MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 100V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
CSD19536KTT 100V, N CHANNEL NEXF
Alias del produttore
Texas Instruments ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Texas Instruments può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TEXAS INSTRUM
- TI Texas Instruments
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-263
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins2
Technical
Continuous Drain Current (ID)200 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance12 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation375 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation375 W
Rds On Max2.4 mΩ
Rise Time8 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height4.7 mm
Length10.16 mm
Thickness4.4 mm
Width8.41 mm