Texas Instruments CSD13302W
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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 SnapEDA | Impronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Risorse di progettazione
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Kit di valutazione
Parti correlate
VishaySI1442DH-T1-GE3
Vishay NChannelMOSTube, Vds=12 V, 4 A, SC-70encapsulation, surface mount
VishaySIA447DJ-T1-GE3
VISHAY - SIA447DJ-T1-GE3 - MOSFET Transistor, P Channel, 12 A, -12 V, 0.011 ohm, -4.5 V, -400 mV
Diodes Inc.DMP1022UFDE-7
Trans MOSFET P-CH 12V 9.1A 6-Pin UDFN EP T/R / MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
Diodes Inc.DMP1022UFDF-7
Power MOSFET, P Channel, 12 V, 9.5 A, 0.012 ohm, U-DFN2020, Surface Mount
Descrizioni
Descrizioni di Texas Instruments CSD13302W fornite dai suoi distributori.
12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single WLP 1 mm x 1 mm, 17.1 mOhm 4-DSBGA -55 to 150
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA / N-Channel 12 V 1.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1)
Trans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
1.8W(Ta) 10V 1.3V@ 250µA 7.8nC@ 4.5 V 1individualNChannel 12V 17.1mΩ@ 1A,4.5V 1.6A 862pF@6V DSBGA-4 SMD mount 1mm*1mm*620μm
N-CHANNEL; Configuration: SINGLE WITH BUILT-IN DIODE; Surface Mount: YES; Maximum Power Dissipation (Abs): 1.8 W; Terminal Position: BOTTOM; Peak Reflow Temperature (C): 260;
Alias del produttore
Texas Instruments ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Texas Instruments può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TI Texas Instruments
- TEXAS INSTRUM
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
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Specifiche tecniche
Physical
Contact PlatingCopper, Silver, Tin
MountSurface Mount
Number of Pins4
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.6 A
Drain to Source Voltage (Vdss)12 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance862 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.8 W
Min Operating Temperature-55 °C
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max17.1 mΩ
Rise Time7 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time17 ns
Turn-On Delay Time6 ns
Dimensions
Height625 µm
Length0 m
Thickness650 µm
Width0 m