STMicroelectronics STW18NM80
$ 3.814
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -42.56%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-04-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTW20N95K5
N-channel 950 V, 0.275 Ohm typ., 17.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STW18NM80 fornite dai suoi distributori.
N-channel 800 V, 0.25 Ohm, 17 A, MDmesh(TM) Power MOSFET in TO-247 package
STW18NM80 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 17 A, 800 V, 3-PIN TO-247
Single N-Channel 800 V 190 W 70 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-247-3
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 800V, 0.295ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
190W(Tc) 30V 5V@ 250¦ÌA 70nC@ 10 V 1individualNChannel 800V 295m¦¸@ 8.5A,10V 17A 2.07nF@50V TO-247-3 Through hole mounting 24.45mm(height)
N Channel Power Mosfet, Mdmesh, 800V, 17A, To-247; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:800V; Continuous Drain Current Id:17A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Power Dissipation:190W; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW18NM80
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -42.56%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance295 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time50 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.07 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation190 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Power Dissipation190 W
Rds On Max295 mΩ
Rise Time28 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time96 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant