STMicroelectronics STW20N95K5
$ 4.18
Production
Prezzo e stock
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -27.25%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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N-channel 900 V, 0.25 Ohm typ., 18.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
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N-channel 950 V, 0.68 Ohm typ., 10 A Zener-protected SuperMESH3(TM) Power MOSFET in TO-247
InfineonSPW11N80C3FKSA1
Power MOSFET, General Purpose, N Channel, 800 V, 11 A, 0.39 ohm, TO-247, Through Hole
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STW20N95K5 fornite dai suoi distributori.
N-channel 950 V, 0.275 Ohm typ., 17.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
Ciiva
STW20N95K5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 17.5 A, 950 V, 3-PIN TO-247
Power Field-Effect Transistor, 15.5A I(D), 950V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AA
MOSFET, N CH, 950V, 17.5A, 0R275, TO-247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 17.5A; Drain Source Voltage Vds: 950V; On Resistance Rds(on): 0.275ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage V
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -27.25%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-247
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)15.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage950 V
Drain to Source Resistance330 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)950 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.5 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation210 W
Min Breakdown Voltage950 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Elements1
Power Dissipation250 W
Rds On Max330 mΩ
Resistance330 MΩ
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time70 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant