STMicroelectronics STW20NM60FD
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Tendenza a 3 mesi: +13.25%
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0 parti disponibili
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Parti correlate
STMicroelectronicsSTW20NM50FD
N-Channel 500V - 0.22Ohm - 20A - TO-247 FDmesh(TM) POWER MOSFET (with FAST DIODE)
STMicroelectronicsSTW22NM60N
N-channel 600 V, 0.2 Ohm, 16 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-247
STMicroelectronicsSTW20NK50Z
N-channel 500 V, 0.23 Ohm, 17 A SuperMESH(TM) Power MOSFET Zener-protected TO-247
onsemiFCH165N60E
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 23 A, 165 mΩ, TO-247
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STW20NM60FD fornite dai suoi distributori.
N-CHANNEL 600V 0.26 Ohm 20A TO-247 FDmesh™ POWER MOSFET
STW20NM60FD N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 20 A, 600 V, 3-PIN TO-247
N-CHANNEL 600V-0.26 OHM-20A TO-247 FDMESH POWER MOSFET (WITH FAST DIODE) Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
MOSFET, N CH, 600V, 20A, TO 247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 20A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.26ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +13.25%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-247
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Current Rating20 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance290 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time22 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.3 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation214 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation214 W
Rds On Max290 mΩ
Resistance290 mΩ
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-On Delay Time25 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height24.45 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant