STMicroelectronics STP8NK100Z
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Parti correlate
InfineonSPP06N80C3XKSA1
MOSFET N-CH 800V 6A TO220-3 N-Channel 800 V 6A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STP8NK100Z fornite dai suoi distributori.
MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO-220 / Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
STP8NK100Z N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 6.5 A, 1000 V, 3-PIN TO-220
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 6.5 A, 1.85 ohm, TO-220, Through Hole
N-CHANNEL 1000V - 1.60Ohm - 6.5A - TO-220 - TO-220FP
Power MOSFET Transistors N-Ch 1000 V 1.60 Ohm 6.5 A SuperMESH
POWER MOSFET, N CHANNEL, 4.3 A, 1 KV, 1.85 OHM, 10 V, 3.75 V ROHS COMPLIANT: YES
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 1000V, 1.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
STMicroelectronics NChannel EnhancedMOSTube MDmesh, SuperMESHseries, Vds=1000 V, 6.5 A, TO-220encapsulation, Through hole mounting, 3Pin
MOSFET, N, 1000V, 6A, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 4.3A; Drain Source Voltage Vds: 1kV; On Resistance Rds(on): 1.85ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +50.24%
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.5 A
Current Rating6.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage1 kV
Drain to Source Resistance1.85 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)1 kV
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.18 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Breakdown Voltage1 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation160 W
Rds On Max1.85 Ω
Resistance1.85 Ω
Rise Time19 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time59 ns
Turn-On Delay Time28 ns
Voltage Rating (DC)1 kV
Dimensions
Height9.15 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant