onsemi FCP850N80Z
$ 1.35
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -60.10%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FCP850N80Z.
Modelli CAD
Scarica il simbolo onsemi FCP850N80Z, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.
| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | Impronta | 3D | Scarica |
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.
Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTP10N62K3
N-channel 620 V, 0.68 Ohm typ., 8.4 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP10NK60Z
N-channel 600 V, 0.65 Ohm typ., 10 A, Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP10NK80Z
N-channel 800 V, 0.78 Ohm, 9 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFETs in TO-220 package
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FCP850N80Z fornite dai suoi distributori.
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, 800 V, 6 A, 850 mΩ, TO-220
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3 / N-Channel 800 V 8A (Tc) 136W (Tc) Through Hole TO-220-3
Mosfet, N-Ch, 800V, 8A, To-220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8A; Drain Source Voltage Vds:800V; On Resistance Rds(On):0.71Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4.5V; Power Rohs Compliant: Yes |Onsemi FCP850N80Z
SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Inaddition, internal gate-source ESD diode allows to withstand over 2kV HBM surge stress. Consequently, SuperFET IIMOSFET is very suitable for the switching power applications such as Audio, Laptop adapter, Lighting, ATX power andindustrial power applications.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -60.10%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Drain to Source Resistance850 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Input Capacitance1.315 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation136 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max850 mΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4.5 V
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FCP850N80Z.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità