STMicroelectronics STP6NK90Z
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Parti correlate
STMicroelectronicsSTP8NK100Z
MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO-220 / Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
InfineonIPP90R1K2C3XKSA2
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220-3 N-Channel 900 V 5.1A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STP6NK90Z fornite dai suoi distributori.
N-channel 900 V, 1.56 Ohm, 5.8 A TO-220 Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
STP6NK90Z N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 5.8 A, 900 V, 3-PIN TO-220
MOSFET, Single - N-Channel, 900V, 5.8A, 140W, TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 900V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
STMicroelectronics NChannel EnhancedMOSTube MDmesh, SuperMESHseries, Vds=900 V, 5.8 A, TO-220encapsulation, Through hole mounting, 3Pin
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 5.8A; Drain Source Voltage Vds: 900V; On Resistance Rds(on): 2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipation
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.8 A
Current Rating5.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage900 V
Drain to Source Resistance2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.35 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage900 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation140 W
Rds On Max2 Ω
Resistance2 Ω
Rise Time45 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Voltage Rating (DC)900 V
Dimensions
Height9.15 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant