STMicroelectronics STP55NF06FP
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0 parti disponibili
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Parti correlate
STMicroelectronicsSTP80NF55-06FP
STP80NF55-06FP N-channel MOSFET Transistor, 60 A, 55 V, 3-Pin TO-220FP
InfineonIRFIZ48NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.016Ohm;ID 36A;TO-220 Full-Pak;PD 42W;-55de
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STP55NF06FP fornite dai suoi distributori.
N-channel 60 V, 0.015 Ohm, 50 A STripFET(TM) II Power MOSFET in TO-220FP package
STP55NF06FP N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 50 A, 60 V, 3-PIN TO-220FP
Trans Mosfet N-Ch 60V 50A 3-Pin(3+Tab) To-220Fp Tube Rohs Compliant: Yes
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 50 A, 0.018 ohm, TO-220FP, Through Hole
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, TO-220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 50A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.018ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dissipation
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +58.21%
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 A
Current Rating50 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance18 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Dual Supply Voltage60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.3 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Elements1
Power Dissipation30 W
Rds On Max18 mΩ
Resistance18 mΩ
Rise Time50 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height9.3 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant