STMicroelectronics STP165N10F4
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Microchip USA | STP165N10F4 | 312 | 600 | Tray | 12h | |||||||
| Win Source | WS-STP165N10F4 | 34.000 | 16 | 19h | ||||||||
| Worldway Electronics | STP165N10F4 | 25.072 | 7 | Tube | 18h | |||||||
| Esaler Electronic | STP165N10F4 | 1000 | 2d | |||||||||
| Aztech | STP165N10F4 | 5031 | 14h |
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-06-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2022-04-02
LTD Date2022-10-02
Parti correlate
InfineonIPP045N10N3GXKSA1
100V 100A 4.5m´Î@10V100A 214W 3.5V@150Ã×A N Channel TO-220(TO-220-3) MOSFETs ROHS
STMicroelectronicsSTP160N75F3
N-channel 75 V, 3.5 mOhm typ., 120 A STripFET(TM) Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP120NF10
N-channel 100 V, 0.009 Ohm, 110 A, STripFET(TM) II Power MOSFET in TO-220 package
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STP165N10F4 fornite dai suoi distributori.
N-channel 100 V, 4.1 mΩ, 160 A TO-220, H²PAK STripFET͐2;2; DeepGATE͐2;2; Power MOSFET
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
120 A 100 V 0.0051 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance5.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time106 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance10.5 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation315 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation315 W
Rds On Max5.5 mΩ
Resistance5.5 MΩ
Rise Time62 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time154 ns
Turn-On Delay Time29.6 ns
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per STMicroelectronics STP165N10F4.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant