onsemi FDP045N10A-F102
$ 2.029
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Tendenza a 3 mesi: -1.56%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FDP045N10A-F102.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 SnapEDA | Impronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-07-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
InfineonIPP045N10N3GXKSA1
MOSFET N-Ch 100V 20A 4.5mΩ@100A,10V 8.41nF@50V TO-220 TH 10mm×440cm×9.25mm
STMicroelectronicsSTP180N10F3
N-channel 100 V, 4.5 mOhm, 120 A STripFET(TM) III Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP140N8F7
N-channel 80 V, 3.5 mOhm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP160N75F3
N-channel 75 V, 3.5 mOhm typ., 120 A STripFET(TM) Power MOSFET in TO-220 package
InfineonIPP037N08N3GXKSA1
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 100 A, 0.0028 ohm, TO-220, Through Hole
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDP045N10A-F102 fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
263W(Tc) 20V 4V@ 250µA 74nC@ 10 V 1individualNChannel 100V 4.5mΩ@ 100A,10V 120A 5.27nF@50V TO-220-3 Through hole mounting 10.67mm*4.7mm*16.3mm
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advance PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -1.56%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance4.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.27 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation263 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingRail/Tube
Power Dissipation263 W
Rds On Max4.5 mΩ
Rise Time26 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time50 ns
Turn-On Delay Time23 ns
Dimensions
Height9.65 mm
Length10.29 mm
Width4.83 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità