STMicroelectronics STP11NM80
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Tendenza a 3 mesi: -4.78%
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N-channel 650 V, 0.230 Ohm, 12 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-220
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STP11NM80 fornite dai suoi distributori.
N-channel 800 V, 0.35 Ohm, 11 A MDmesh(TM) Power MOSFET in TO-220
N-Channel 800 V 0.4 Ohm Flange Mount MDMesh Power MosFet - TO-220
STP11NM80 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 11 A, 800 V, 3-PIN TO-220
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 11A; Drain Source Voltage Vds: 800V; On Resistance Rds(on): 0.4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd
Mosfet, N, To-220; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:11A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:800V; Resistencia De Activación Rds(On):400Mohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V; Tensión Umbral Vgs:4V |Stmicroelectronics STP11NM80
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -4.78%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Current Rating11 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance400 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.63 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation205 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Power Dissipation150 W
Rds On Max400 mΩ
Resistance400 mΩ
Rise Time17 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time46 ns
Turn-On Delay Time22 ns
Voltage Rating (DC)800 V
Dimensions
Height9.15 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant