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STMicroelectronics STP10NM60N

N-channel 600 V, 0.53 Ohm typ., 10 A, MDmesh II Power MOSFET in TO-220 package
$ 1.321
Production
Scheda dati
Pagina del produttore

Prezzo e stock

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Distributore
SKU
Min
Pkg
Prezzi all'ingrosso
Future Electronics
3
STP10NM60N
9500
50
Tube
USD
1,700
1,650
1,610
Verical
2
STP10NM60N
2000
1K
USD
1,269
1,199
Arrow Electronics
2
STP10NM60N
1000
50
USD
1,258
1,258
1,258
TME
2
STP10NM60N
150
1
USD
3,280
2,050
1,630
1,260
1,070
6h
RS (Formerly Allied Electronics)
STP10NM60N
0
5
Bulk
USD
1,540
1,380
1,380
1,380
7h

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per STMicroelectronics STP10NM60N.

STMicroelectronics

Datasheet28 pagine13 anni fa

element14 APAC

Newark

iiiC

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Parti alternative

Questo componente
Parti alternative
STMicroelectronicsSTP10NM60N
STMicroelectronicsSTP10NM60ND
Price @ 1000
$ 1.321
$ 0.965
Stock
214,824
101,704
Authorized Distributors
6
2
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220
TO-220
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
600 V
Continuous Drain Current (ID)
8 A
8 A
Threshold Voltage
3 V
4 V
Rds On Max
550 mΩ
600 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
25 V
25 V
Power Dissipation
70 W
70 W
Input Capacitance
540 pF
577 pF

Supply Chain

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-06-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 months ago)

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Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di STMicroelectronics STP10NM60N fornite dai suoi distributori.

N-channel 600 V, 0.53 Ohm typ., 10 A, MDmesh II Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 8A TO-220 / Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Win Source
STP10NM60N N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 10 A, 600 V, 3-PIN TO-220
RS (Formerly Allied Electronics)
N-Channel 650 V 0.55 Ohm Flange Mount MDmesh II Power MosFet - TO-220
Future Electronics
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 600V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
IHS
STMicroelectronics NChannel EnhancedMOSTube MDmeshseries, Vds=600 V, 10 A, TO-220encapsulation, Through hole mounting, 3Pin
UnikeyIC
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:10A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V; Power Dissipation:70W; No. Of Pins:3Pins; Msl:-Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP10NM60N.
Newark

Immagini

RS
Newark
TME
Lanka Micro
LZChips
Future Electronics

Alias del produttore

STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • STP10NM60N.