STMicroelectronics STP10NK80Z
$ 1.738
Production
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -4.13%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTP12NK80Z
N-channel 800 V, 0.65 Ohm, 10.5 A Zener protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP10NK60Z
N-channel 600 V, 0.65 Ohm typ., 10 A, Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP8NK100Z
MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO-220 / Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STP10NK80Z fornite dai suoi distributori.
N-channel 800 V, 0.78 Ohm, 9 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFETs in TO-220 package
N-Channel 800 V 0.9 Ohm Flange Mount SuperMESH Power MosFet - TO-220
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 9 A, 0.78 ohm, TO-220, Through Hole
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 9A; Drain Source Voltage Vds: 800V; On Resistance Rds(on): 0.78ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipation
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -4.13%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Current Rating9 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance900 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time17 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.18 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation160 W
Rds On Max900 mΩ
Resistance900 mΩ
Rise Time20 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time65 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Voltage Rating (DC)800 V
Dimensions
Height9.15 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant