STMicroelectronics STH315N10F7-2
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Questo componente
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$ 1.979
$ 1.895
Stock
152,880
7,566,159
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-263-3
TO-263-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
180 A
180 A
Threshold Voltage
3.5 V
4.5 V
Rds On Max
2.3 mΩ
2.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
315 W
300 W
Input Capacitance
12.8 nF
11.55 nF
Parti correlate
STMicroelectronicsSTH310N10F7-2
N-channel 100 V, 1.9 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
InfineonIRFS7730TRLPBF
Infineon N-Channel MOSFET HEXFET, Vds=75V, Id=246A, D2PAK (TO-263), SMD, 3-Pin
InfineonIRFS7730PBF
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
STMicroelectronicsSTH270N8F7-2
N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STH315N10F7-2 fornite dai suoi distributori.
Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 180 A, 0.0021 ohm, H2PAK, Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
315W(Tc) 20V 4.5V@ 250µA 180nC@ 10 V 1individualNChannel 100V 2.3mΩ@ 60A,10V 180A 12.8nF@25V H2PAK-2 SMD mount 5mm(height)
MOSFET, N CH, 100V, 180A, H2PAK-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 180A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.0021ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.5V
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)180 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance2.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance12.8 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation315 W
Rds On Max2.3 mΩ
Rise Time108 ns
Threshold Voltage3.5 V
Turn-Off Delay Time148 ns
Turn-On Delay Time62 ns
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant