Infineon AUIRFS3107TRL
$ 3.06
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -6.32%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon AUIRFS3107TRL.
Modelli CAD
Scarica il simbolo Infineon AUIRFS3107TRL, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.
| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | Impronta | 3D | Scarica |
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.
Parti alternative
Questo componente
Parti alternative
Price @ 1000
$ 3.06
$ 1.894
$ 1.894
Stock
1,144,672
254,230
254,230
Authorized Distributors
2
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
75 V
75 V
Continuous Drain Current (ID)
195 A
195 A
195 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
3 mΩ
3 mΩ
3 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
370 W
370 W
370 W
Input Capacitance
9.37 nF
9.37 nF
9.37 nF
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-08-15
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2024-02-29
LTD Date2024-08-31
Parti correlate
STMicroelectronicsSTH240N75F3-2
N-channel 75 V, 2.6 mOhm typ., 180 A STripFET(TM) III Power MOSFET in H2PAK-2 package
InfineonIRFS7730PBF
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
STMicroelectronicsSTH260N6F6-2
N-channel 60 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-2 package
InfineonIRFS7730TRLPBF
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
InfineonIRFS7734TRLPBF
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
STMicroelectronicsSTH270N8F7-2
N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
Descrizioni
Descrizioni di Infineon AUIRFS3107TRL fornite dai suoi distributori.
AUIRFS3107 Series 75 V 195 A 370 W SMT HEXFET® Power MOSFET - D2PAK-3
Automotive Q101 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 75V 230A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 75V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 75V, TO-263AB; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 195A; Drain Source Voltage Vds: 75V; On Resistance Rds(on): 0.00; Available until stocks are exhausted Alternative available
Benefits: Advanced process technology; Ultra-low on-resistance; 175C operating temperature; Fast switching; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified | Target Applications: Braking; Brushed Motor Drive; Brushless Motor Drive; Exhaust; HV DC-DC Converter; SMPS Injector; Solenoid Injection
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -6.32%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
1 parte disponibile
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)195 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Fall Time100 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance9.37 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation370 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance3 mΩ
Package Quantity800
PackagingTape & Reel
Power Dissipation370 W
Rds On Max3 mΩ
Rise Time110 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time99 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon AUIRFS3107TRL.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità