STMicroelectronics STH260N6F6-2
$ 2.2
Production
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.55%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-05-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
InfineonAUIRLS3036TRL
Automotive Q101 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-PAK Package, D2PAK-3, RoHS
InfineonAUIRLS3036
MOSFET, N-CH, 60V, 270A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
STMicroelectronicsSTH265N6F6-2AG
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2 / N-Channel 60 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
STMicroelectronicsSTH240N75F3-2
N-channel 75 V, 2.6 mOhm typ., 180 A STripFET(TM) III Power MOSFET in H2PAK-2 package
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STH260N6F6-2 fornite dai suoi distributori.
N-channel 60 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-2 package
STH260N6F6-2 N-channel MOSFET Transistor, 180 A, 60 V, 3-Pin H2PAK-2
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
300W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 183nC@ 10 V 1N 60V 2.4m¦¸@ 60A,10V 180A 11.8nF@25V H2PAK-2 10.4mm*9.17mm
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 75V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Power MOSFETs, 60V, 180A, H2PAK-2, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
Mosfet, N-Ch, 60V, 180A, H2Pak-2; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:180A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STH260N6F6-2
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.55%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)180 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Fall Time62.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance11.8 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation300 W
Rds On Max2 mΩ
Resistance2 MΩ
Rise Time165 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time144.4 ns
Turn-On Delay Time31.4 ns
Dimensions
Height4.8 mm
Length15.8 mm
Width10.4 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant