STMicroelectronics STGP30M65DF2
$ 1.085
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Future Electronics | STGP30M65DF2 | 13 | 20 | Tube | ||||||||
| TME | STGP30M65DF2 | 72 | 1 | 18h | ||||||||
| DigiKey | 497-15841-5-ND | 786 | 1 | Tube | ||||||||
| Avnet | STGP30M65DF2 | 0 | 1K | 22h | ||||||||
| Arrow Electronics | STGP30M65DF2 | 0 | 1K |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -1.15%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-04-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
InfineonIKP40N65H5XKSA1
IKP40N65H5: 650 V 74 A High Speed 5 IGBT TRENCHSTOPTM 5 Technology-PG-TO220-3
InfineonIGP40N65F5XKSA1
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
InfineonIKP40N65F5XKSA1
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
STMicroelectronicsSTGP30H60DF
IGBT 600V 60A 260W TO220 / IGBT Trench Field Stop 600 V 60 A 260 W Through Hole TO-220
STMicroelectronicsSTGP35HF60W
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
STMicroelectronicsSTGP20NC60V
STGP20NC60V Series 600 V 3 A Flange Mount Very Fast IGBT - TO-220
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STGP30M65DF2 fornite dai suoi distributori.
STGP30M65DF2: 650 V 60 A 258 W Trench Gate Field-Stop IGBT - TO-220AB
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
STMICROELECTRONICS STGP30M65DF2 IGBT Single Transistor, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-220, 3 Pins
IGBT, SINGLE, 650V, 60A, TO-220-3; DC Collector Current: 60A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.55V; Power Dissipation Pd: 258W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 650V; Transistor Case Style: TO-220; No. of Pi
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -1.15%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage650 V
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current60 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation258 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Reverse Recovery Time140 ns
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per STMicroelectronics STGP30M65DF2.