STMicroelectronics STGP20NC60V
$ 1.633
Production
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +8.75%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTGP30H60DF
IGBT 600V 60A 260W TO220 / IGBT Trench Field Stop 600 V 60 A 260 W Through Hole TO-220
STMicroelectronicsSTGP30V60DF
IGBT 600V 60A 258W TO220AB / IGBT Trench Field Stop 600 V 60 A 258 W Through Hole TO-220
onsemiSGP23N60UFDTU
IGBT 600V 23A 100W TO220 / Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STGP20NC60V fornite dai suoi distributori.
STGP20NC60V Series 600 V 3 A Flange Mount Very Fast IGBT - TO-220
N-CHANNEL 30A - 600V - TO-220/TO-247 Very Fast PowerMESH IGBT
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
STGP20NC60V, IGBT Transistor, 60 A 600 V, 1MHz, 3-Pin TO-220
Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
IGBT, 600V, 20A, TO-220; DC Collector Current: 60A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2.5V; Power Dissipation Pd: 200W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V; Transistor Case Style: TO-220; No. of Pins: 3Pins; O
Igbt, Single, 600V, 60A, To-220-3; Continuous Collector Current:60A; Collector Emitter Saturation Voltage:2.5V; Power Dissipation:200W; Collector Emitter Voltage Max:600V; No. Of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STGP20NC60V
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +8.75%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)600 V
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.65 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Continuous Collector Current30 A
Current Rating30 A
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current60 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation200 W
Rise Time11 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time150 ns
Turn-On Delay Time31 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height9.15 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant