STMicroelectronics STF9N60M2
$ 0.662
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.36%
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0 parti disponibili
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Parti correlate
STMicroelectronicsSTF11N65M2
N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
InfineonIPA60R650CEXKSA1
Single N-Channel 600 V 0.65 Ohm 20.5 nC CoolMOS Power Mosfet - TO-220-3FP, PG-TO220-3, RoHS
InfineonIPA60R800CEXKSA1
MOSFET N-CH 600V TO-220-3 / Trans MOSFET N-CH 600V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STF9N60M2 fornite dai suoi distributori.
N-channel 600 V, 0.72 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
STF9N60M2 N-channel MOSFET Transistor, 5.5 A, 650 V, 3-Pin TO-220FP
N-Channel 650 V 0.78 Ohm Flange Mount Mdmesh II Plus Power Mosfet - TO-220FP
Mosfet, N-Ch, 600V, 5.5A, 150Deg C, 20W Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STF9N60M2
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
20W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 10nC@ 10 V 1N 600V 780m¦¸@ 3A,10V 5.5A 320pF@100V TO-220FP 10.4mm*16.4mm
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 600V, 0.78ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.36%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance780 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance320 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max780 mΩ
Rise Time7.5 ns
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time8.8 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant