STMicroelectronics STF11N65M2
$ 0.825
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | STF11N65M2 | 1000 | 1K | |||||||||
| Arrow Electronics | STF11N65M2 | 1000 | 1K | |||||||||
| TME | STF11N65M2 | 0 | 1 | 8h | ||||||||
| Avnet | STF11N65M2 | 0 | 1K | 4d | ||||||||
| Farnell | STF11N65M2 | 0 | 1 | 9h |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per STMicroelectronics STF11N65M2.
Modelli CAD
Scarica il simbolo STMicroelectronics STF11N65M2, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.
| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.
Parti correlate
STMicroelectronicsSTP11N65M2
N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTF11NM50N
N-channel 500 V, 0.40 Ohm typ., 8.5 A MDmesh II Power MOSFET in a TO-220FP package
STMicroelectronicsSTF10NM50N
N-channel 500 V, 0.53 Ohm, 7 A TO-220FP MDmesh(TM) II Power MOSFET
VishaySIHF8N50D-E3
MOSFET, N-CH, 500V, 8.7A, TO-220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dr
VishaySIHF5N50D-E3
MOSFET, N-CH, 500V, 5.3A, TO-220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dr
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STF11N65M2 fornite dai suoi distributori.
N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
STMICROELECTRONICS STF11N65M2 Power MOSFET, N Channel, 7 A, 650 V, 0.6 ohm, 10 V, 3 V
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
25W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 12.5nC@ 10 V 1N 650V 670m¦¸@ 3.5A,10V 7A 410pF@100V TO-220FP
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 650V, 0.68ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CHANNEL, 650V, 7A, TO-250FP-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 7A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V;
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight329.988449 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)7 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance680 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance410 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max680 mΩ
Resistance600 mΩ
Rise Time7.5 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time26 ns
Turn-On Delay Time9.5 ns
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per STMicroelectronics STF11N65M2.