STMicroelectronics STF5N95K3
$ 1.445
Production
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -42.86%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-05-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTP4NK80ZFP
N-CHANNEL 800V - 3 OHM - 3A TO-220FP Zener-Protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
STMicroelectronicsSTP3NK90ZFP
N-Channel 900 V 4.8 Ohm Flange Mount SuperMESH Power Mosfet - TO-220FP
STMicroelectronicsSTP5NK80ZFP
N-channel 800 V, 1.9 Ohm, 4.3 A, Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-220FP package
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STF5N95K3 fornite dai suoi distributori.
N-channel 950 V, 3 Ohm, 4 A Zener-protected SuperMESH3(TM) Power MOSFET in TO-220FP package
STF5N95K3 N-channel MOSFET Transistor, 4 A, 950 V, 3-Pin TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Power MOSFET, N Channel, 950 V, 4 A, 3 ohm, TO-220FP, Through Hole
950 V, 3 OHM 4 A, TO-220FP N-CHANNEL ZENER-PROTECTED SUPERMESH3 POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 950V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 950V, 4A, TO220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4A; Drain Source Voltage Vds:950V; On Resistance Rds(on):3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:25W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:TO-220FP; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -42.86%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Drain to Source Breakdown Voltage950 V
Drain to Source Resistance3.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)950 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time18 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance460 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage950 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation25 W
Rds On Max3.5 Ω
Resistance3.5 Ω
Rise Time7 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per STMicroelectronics STF5N95K3.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant