STMicroelectronics STP3NK90ZFP
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Production
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -26.26%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTP4NK80ZFP
N-CHANNEL 800V - 3 OHM - 3A TO-220FP Zener-Protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STP3NK90ZFP fornite dai suoi distributori.
N-Channel 900 V 4.8 Ohm Flange Mount SuperMESH Power Mosfet - TO-220FP
STP3NK90ZFP N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 3 A, 900 V, 3-PIN TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 900V, 4.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, TO-220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3A; Drain Source Voltage Vds:900V; On Resistance Rds(on):4.8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3.75V; Power Dissipation Pd:25W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220FP; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:3A; On State resistance @ Vgs = 10V:4.8ohm; Package / Case:TO-220FP; Power Dissipation Pd:25W; Power Dissipation Pd:25W; Pulse Current Idm:12A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:900V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -26.26%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Drain to Source Resistance4.8 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time18 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance590 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage900 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation25 W
Rds On Max4.8 Ω
Rise Time7 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant