STMicroelectronics STF4N62K3
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0 parti disponibili
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-05-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTP5NK50ZFP
N-channel 500 V, 1.22 Ohm typ., 4.4 A SuperMESH Power MOSFET in TO-220FP package
STMicroelectronicsSTP4NK60ZFP
N-channel 600 V, 1.76 Ohm, 4 A SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-220FP
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STF4N62K3 fornite dai suoi distributori.
N-channel 620 V, 1.7 Ohm typ., 3.8 A, SuperMESH3(TM) Power MOSFET in TO-220FP package
STF4N62K3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 3.8 A, 620 V, 3-PIN TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
25W(Tc) 30V 4.5V@ 50¦ÌA 22nC@ 10 V 1N 620V 2¦¸@ 1.9A,10V 3.8A 550pF@50V TO-220FP 20mm
3.8 A 620 V 1.95 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
620 V, 3.8 A, 1.8 OHM, TO-220FP SUPERMESH3 N-CHANNEL POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 620V, 1.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 620V, 3.8A, TO 220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.8A; Drain Source Voltage Vds:620V; On Resistance Rds(on):1.7ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3.75V; Power Dissipation Pd:25W; Transistor Case Style:TO-220FP; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage620 V
Drain to Source Resistance1.95 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)620 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance550 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage620 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation25 W
Rds On Max2 Ω
Resistance2 Ω
Rise Time9 ns
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time29 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant