STMicroelectronics STP5NK50ZFP
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Tendenza a 3 mesi: +542%
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTP7NK40ZFP
N-Channel 400 V 1 Ohm Flange Mount SuperMESH Power Mosfet - TO-220FP
STMicroelectronicsSTP5NK60ZFP
N-CHANNEL 600V - 1.2 Ohm - 5A TO-220FP Zener-Protected SuperMESH™ Power MOSFET
VishaySIHF5N50D-E3
MOSFET, N-CH, 500V, 5.3A, TO-220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dr
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STP5NK50ZFP fornite dai suoi distributori.
N-channel 500 V, 1.22 Ohm typ., 4.4 A SuperMESH Power MOSFET in TO-220FP package
Ciiva
N-Channel 500V - 1.22 Ohm - 4.4A Zener-Protected SuperMESH(TM) POWER MOSFET
STP5NK50 Series 500 V 4.4 A 1.5 Ohm Through Hole N-Ch Power MOSFET - TO-220FPAB
Trans MOSFET N-CH 500V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, TO-220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 4.4A; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 1.22ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipa
N Channel Mosfet, 500V, 4.4A, To-220Fp; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:4.4A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:500V; Resistencia De Activación Rds(On):1.22Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Stmicroelectronics STP5NK50ZFP
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +542%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance1.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance535 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation25 W
Rds On Max1.5 Ω
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height6.35 mm
Length2.54 mm
Width6.35 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant