STMicroelectronics STF13N65M2
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -1.31%
Modelli CAD
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0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-12-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTF15N65M5
N-channel 650 V, 0.308 Ohm typ., 11 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-220FP package
STMicroelectronicsSTF18N65M2
N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package
STMicroelectronicsSTF13N60M2
N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
InfineonIPA60R400CEXKSA1
Single N-Channel 600 V 400 mOhm 32 nC CoolMOS Power Mosfet - TO-220-3FP, PG-TO220-3, RoHS
VishaySIHF12N65E-GE3
E Series N Channel 650 V 380 mO 70 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220FP
onsemiFCPF380N65FL1
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FRFET®, 650 V, 10.2 A, 380 mΩ, TO-220F
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STF13N65M2 fornite dai suoi distributori.
N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
N-Channel 650 V 430 mOhm Flange Mount MDmesh Power Mosfet - TO-220FP
STF13N65M2 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 10 A, 650 V, 3-PIN TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
25W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 17nC@ 10 V 1N 650V 430m¦¸@ 5A,10V 10A 590pF@100V TO-220FP 20mm
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 650V, 0.43ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 650V, 10A, 150Deg C, 25W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(On):0.37Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STF13N65M2
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -1.31%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Resistance430 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance590 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage650 V
Number of Elements1
Rds On Max430 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Schede tecniche e documenti
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