STMicroelectronics STF18N65M2
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Tendenza a 3 mesi: -100%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-01-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTP18N60M2
N-channel 600 V, 0.255 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTF18N60M2
N-channel 600 V, 0.255 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
STMicroelectronicsSTF18NM60N
N-channel 600 V, 0.26 Ohm typ., 13 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220FP
onsemiFCPF260N65FL1
N-Channel Power MOSFET, SuperFET® II, FRFET®, 650 V, 15 A, 260 mΩ, TO-220F
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STF18N65M2 fornite dai suoi distributori.
N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
650V 12A 330m´Î@10V6A 25W 4V@250Ã×A N Channel TO-220F(TO-220IS) MOSFETs ROHS
MOSFET N-Ch 650V 12A MDmesh M2 TO-220FP
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -100%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Resistance330 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Fall Time12.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance770 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max330 mΩ
Rise Time7.5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time46 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Schede tecniche e documenti
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