STMicroelectronics STD5NK40Z-1
$ 0.539
Production
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -2.34%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTD3NK50Z-1
STMICROELECTRONICS STD3NK50Z-1 MOSFET Transistor, N Channel, 1.15 A, 500 V, 2.8 ohm, 10 V, 3.75 V
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STD5NK40Z-1 fornite dai suoi distributori.
STD5NK40Z-1 N-channel MOSFET Transistor, 3 A, 400 V, 3-Pin TO-251
Trans MOSFET N-CH 400V 3A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube / MOSFET N-CH 400V 3A IPAK
N-channel 400 V, 1.45 Ohm typ., 3 A SuperMESH Power MOSFET in IPAK package
Ciiva
400 V-3 A-1.47 OHM IPAK N-CHANNEL ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
MOSFET, N, I-PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 3A; Drain Source Voltage Vds: 400V; On Resistance Rds(on): 1.47ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipation
Mosfet, N, I-Pak; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:3A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:400V; Resistencia De Activación Rds(On):1.47Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V; Tensión Umbral Vgs:3.75V |Stmicroelectronics STD5NK40Z-1
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -2.34%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Drain to Source Breakdown Voltage400 V
Drain to Source Resistance1.8 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)400 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance305 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage400 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation45 W
Rds On Max1.8 Ω
Resistance1.8 Ω
Rise Time6 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time22.5 ns
Turn-On Delay Time9.2 ns
Dimensions
Height6.2 mm
Length6.6 mm
Width2.4 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per STMicroelectronics STD5NK40Z-1.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant