onsemi FQU3N50CTU
$ 0.483
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2005-05-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTD5NK40Z-1
STD5NK40Z-1 N-channel MOSFET Transistor, 3 A, 400 V, 3-Pin TO-251
STMicroelectronicsSTU3LN62K3
N-channel 620 V, 2.5 Ω , 2.5 A SuperMESH3™ Power MOSFET DPAK, TO-220FP, TO-220, IPAK
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FQU3N50CTU fornite dai suoi distributori.
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 500 V, 2.5 A, 2.5 Ω, IPAK
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
500V 2.5A 2.5´Î@10V1.25A 35W 4V@250Ã×A N Channel TO-251-3 MOSFETs ROHS
Qfc 500V 2.5Ohm Ipak/Tube Rohs Compliant: Yes |Onsemi FQU3N50CTU
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFETs 500V N-Channel Adv QFET C-series
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight343.08 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance2.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance365 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation35 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation35 W
Rds On Max2.5 Ω
Rise Time25 ns
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height9.85 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità