STMicroelectronics STD16N65M5
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Tendenza a 3 mesi: -100%
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0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 SnapEDA | Impronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-02-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTD18N65M5
N-channel 650 V, 0.198 Ohm typ., 15 A MDmesh M5 Power MOSFET in DPAK package
STMicroelectronicsSTD18N55M5
Mosfet Transistor, N Channel, 13 A, 550 V, 0.18 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes
STMicroelectronicsSTD10NM65N
N-channel 650 V, 0.43 Ohm, 9 A, DPAK second generation MDmesh(TM) Power MOSFET
onsemiFCD380N60E
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 10.2 A, 380 mΩ, DPAK
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STD16N65M5 fornite dai suoi distributori.
N-channel 650 V, 0.230 Ohm typ., 12 A MDmesh M5 Power MOSFET in DPAK pakage
STD16N65M5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 12 A, 650 V, 3-PIN TO-252
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.279ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
STMicroelectronics NChannel EnhancedMOSTube MDmesh M5series, Vds=650 V, 12 A, DPAK (TO-252)encapsulation, surface mount, 3Pin
Mosfet, N Ch, 650V, 12A, Dpak; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(On):0.23Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STD16N65M5
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -100%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance279 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.25 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation90 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape (CT)
Power Dissipation90 W
Rds On Max299 mΩ
Resistance299 mΩ
Rise Time9 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant