STMicroelectronics STB24NM60N

N-channel 600 V, 0.168 Ohm, 17 A MDmesh(TM) II Power MOSFET D2PAK
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Future ElectronicsSTB24NM60N01KTape & Reel

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Farnell

Datasheet14 pagine20 anni fa

Newark

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VishaySIHB12N60E-GE3
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di STMicroelectronics STB24NM60N fornite dai suoi distributori.

N-channel 600 V, 0.168 Ohm, 17 A MDmesh(TM) II Power MOSFET D2PAK
STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
Win Source
STB24NM60N N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 17 A, 650 V, 2+TAB-PIN TO-263
RS (Formerly Allied Electronics)
N-Channel 600 V 190 mOhm SMT Power MOSFET - D2PAK
Future Electronics
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
IHS
MOSFET, N CH, 600V, 17A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.168ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:125W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
element14 APAC

Immagini

Farnell
RS (Formerly Allied Electronics)
RS APAC
element14 APAC
Lanka Micro
Future Electronics

Alias del produttore

STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics