STMicroelectronics STB23NM50N
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Tendenza a 3 mesi: -18.88%
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0 parti disponibili
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 20 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in D2PAK package
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N-channel 600 V, 0.168 Ohm, 17 A MDmesh(TM) II Power MOSFET D2PAK
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N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
VishaySIHB22N60E-GE3
MOSFET, N CH, 600V, 21A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STB23NM50N fornite dai suoi distributori.
N-channel 500 V, 0.162 Ohm, 17 A, D2PAK MDmesh(TM) II Power MOSFET
STB23NM50N N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 17 A, 500 V, 2+TAB-PIN TO-263
N-Channel 550 V 0.19 O Surface Mount MDmesh II Power MosFet - D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
500 V, 17 A, 0.162 OHM, D2PAK MDMESH N-CHANNEL II POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 500V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 500 V, 17 A, TO-263-3; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:500V; Continuous Drain Current Id:17A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V RoHS Compliant: Yes
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -18.88%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance190 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time29 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.33 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation125 W
Rds On Max190 mΩ
Resistance190 mΩ
Rise Time19 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time71 ns
Turn-On Delay Time6.6 ns
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.75 mm
Width10.4 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant