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Modelli CAD
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Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FQB13N50CTM.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-10-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2010-09-23
LTD Date2011-03-23
Parti correlate
STMicroelectronicsSTB14NK50ZT4
STB14NK50ZT4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 14 A, 500 V, 3-PIN D2PAK
STMicroelectronicsSTB14NK60ZT4
STB14NK60ZT4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 13.5 A, 600 V, 3-PIN D2PAK
VishayIRFS11N50APBF
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 11 A, 0.52 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
STMicroelectronicsSTB13NK60ZT4
N-Channel 600 V, 0.48 Ohm, 13 A D2PAK Zener-Protected SuperMesh(TM) POWER MOSFET
onsemiFQB11N40TM
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 11.4A Tc 11.4A 3.13W 60ns
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FQB13N50CTM fornite dai suoi distributori.
MOSFET N-CH 500V 13A D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFETs 500V N-Channel Adv Q-FET C-Series
N-CH/500V/13A/QFET C-Series
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Current Rating13 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance480 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time100 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.055 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation195 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation195 W
Rds On Max480 mΩ
Rise Time100 ns
Turn-Off Delay Time130 ns
Voltage Rating (DC)500 V
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità