STMicroelectronics MJB44H11T4-A

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
$ 0.551
Production
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DistributorSKUMinPkg
AvnetMJB44H11T4-A10001K
1d
TME
2
MJB44H11T4-A01K
20h
NewarkMJB44H11T4-A01
Future ElectronicsMJB44H11T4-A01KTape & Reel
Arrow ElectronicsMJB44H11T4-A02K

Schede tecniche e documenti

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TME

Datasheet11 pagine13 anni fa

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
-33.69%
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Parti alternative

Questo componente
Parti alternative
STMicroelectronicsMJB44H11T4-A
onsemiMJB44H11G
onsemiMJB44H11G
Price @ 1000
$ 0.551
$ 0.61
$ 0.61
Stock
177,626
309,788
309,788
Authorized Distributors
5
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
TO-263-3
D2PAK
D2PAK
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
80 V
Max Collector Current
10 A
10 A
10 A
Transition Frequency
-
50 MHz
50 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-
1 V
1 V
hFE Min
40
40
40
Power Dissipation
-
2 W
2 W

Supply Chain

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-05-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)

Parti correlate

onsemiKSB834WYTM
Transistor, bjt, pnp,60V V(Br)Ceo,3A I(C) Rohs Compliant: Yes |Onsemi KSB834WYTM
Dettagli
onsemiNJVMJD45H11G
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di STMicroelectronics MJB44H11T4-A fornite dai suoi distributori.

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Avnet Silica
MJB44H11T4 Series NPN 80 V 10 A - 50 W SMT Bipolar (BJT) Transistor - D²PAK
Future Electronics
Trans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Verical
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-263AB, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Semicontronic
Automotive-grade low voltage NPN power transistor
STMicroelectronics
TRANSISTOR, NPN, 80V, 10A, TO-263; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 50W; DC Collector Current: 10A; DC Current Gain hFE: 40hFE; Transistor Cas
Farnell
Transistor, Npn, 80V, 10A, To-263; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:80V; Continuous Collector Current:10A; Power Dissipation:50W; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pins; Transition Frequency:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics MJB44H11T4-A
Newark

Immagini

Farnell
TME
Lanka Micro

Alias del produttore

STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • MJB44H11T4A