onsemi KSB834WYTM
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EOL
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Distributore
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Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -79.63%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi KSB834WYTM.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi KSB834WYTM fornite dai suoi distributori.
Transistor, bjt, pnp,60V V(Br)Ceo,3A I(C) Rohs Compliant: Yes |Onsemi KSB834WYTM
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-263AB, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Trans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
1V@ 300mA,3A PNP 1.5W 7V 100μA 60V 60V 3A TO-263 SMD mount 10.67mm*9.65mm*4.83mm
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -79.63%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-60 V
Collector Emitter Saturation Voltage-500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating-3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-7 V
Frequency9 MHz
Gain Bandwidth Product9 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current3 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation1.5 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency9 MHz
Voltage Rating (DC)-60 V
Dimensions
Height5.08 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità