Semelab 2N6796
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Questo componente
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Price @ 1000
$ 18.387
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Stock
0
25,275
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Authorized Distributors
3
4
4
Mount
-
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-39
TO-39
TO-39
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
8 A
8 A
8 A
Threshold Voltage
4 V
4 V
4 V
Rds On Max
-
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
-
20 V
20 V
Power Dissipation
25 W
25 W
25 W
Input Capacitance
-
-
-
Parti correlate
InfineonJANTX2N6849
Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
InfineonJANTX2N6788
Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
Descrizioni
Descrizioni di Semelab 2N6796 fornite dai suoi distributori.
MOSFET, N, TO-39; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8A; Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.18ohm;
Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 3-Pin TO-39
Mosfet, N, To-39; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:8A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:100V; Resistencia De Activación Rds(On):180Mohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V; Tensión Umbral Vgs:4V |Tt Electronics / Semelab 2N6796
Alias del produttore
Semelab ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Semelab può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- MAGNATEC
- SEMELAB LTD
- TT Electronics - Semelab
- Semelab/TT Electronics
- Semelab Plc
- TT Semelab
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-39
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Drain to Source Resistance180 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Power Dissipation25 W
Threshold Voltage4 V
Schede tecniche e documenti
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