MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-20V; Continuous Drain Current, Id:-6.2A; On Resistance, Rds(on):33ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-4.5V RoHS Compliant: Yes

Newark

Alias del produttore

onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON Semiconductor / Fairchild
ON SEMICOND
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
onsemi / Fairchild
ON SEMICONDUCTOR CORP
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

SI 4963DY

Cronologia dell'inventario

Tendenza a 3 mesi: +0.00%

Modelli CAD

0 modelli disponibili

Parti alternative

0 parti disponibili

Specifiche tecniche

Physical

Case/PackageSOIC N

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals8

Technical

Continuous Drain Current (ID)6.2 A

Current7 A

Drain to Source Resistance33 mΩ

Fall Time37 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)12 V

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation2 W

Min Breakdown Voltage20 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements2

Power Dissipation2 W

Rise Time11 ns

Turn-Off Delay Time57 ns

Voltage30 V

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi SI4963DY.

IHS

Datasheet6 pagine25 anni fa

Newark

Conformità

Classificazione ambientale

RoHSCompliant

Dichiarazioni di conformità

Reach Statement8 pagine11 anni fa

Rohs Statement1 pagina13 anni fa

Rohs Statement1 pagina14 anni fa

Reach Statement2 pagine13 anni fa