Vishay SI4900DY-T1-E3
$ 0.712
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | SI4900DY-T1-E3CT-ND | 195 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Newark | SI4900DY-T1-E3 | 0 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | SI4900DY-T1-E3 | 0 | 2500 | 5d | ||||||||
| TTI Asia | SI4900DY-T1-E3 | Contatto | 4h | |||||||||
| Mouser | 781-SI4900DY-E3 | 29.686 | 1 | Tape & Reel |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -2.02%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SI4900DY-T1-E3.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-03-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-11-30
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SI4900DY-T1-E3 fornite dai suoi distributori.
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 60V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
Dual N-Channel 60 V 0.058 Ohm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - SOIC-8
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Transistor; Continuous Drain Current, Id:5300mA; Drain Source Voltage, Vds:60V; On Resistance, Rds(on):0.072ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:3V; Power Dissipation, Pd:2W ;RoHS Compliant: Yes
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -2.02%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOIC N
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight186.993455 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance58 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationDual
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance665 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.1 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation2 W
Rds On Max58 mΩ
Resistance58 mΩ
Rise Time15 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SI4900DY-T1-E3.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità