onsemi NTMD6601NR2G
$ 0.629
Obsolete
Prezzo e stock
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Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-02-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2011-04-05
LTD Date2011-10-05
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
Diodes Inc.ZXMHC6A07N8TC
Quad N/P-Channel 60 V 0.35/0.60 Ohm 3.2/5.1 nC 0.87 mW Silicon Mosfet SOIC-8
STMicroelectronicsSTS4DNF60L
N-Channel 60V - 0.045 Ohm - 4A - SO-8 STripFET(TM) II POWER MOSFET
Descrizioni
Descrizioni di onsemi NTMD6601NR2G fornite dai suoi distributori.
Tape & Reel (TR) Surface Mount 2N-Channel (Dual) Dual Mosfet Array 15nC @ 10V 1.1A 600mW 80V
Power MOSFET 80V 1.4A 245 mOhm Dual N-Channel SO-8
Trans MOSFET N-CH 80V 2.2A 8-Pin SOIC N T/R
1100 mA 80 V 2 CHANNEL N-CHANNEL Si SMALL SIGNAL MOSFET
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 80V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance215 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationDual
Gate to Source Voltage (Vgs)15 V
Input Capacitance400 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation1 W
Rds On Max215 mΩ
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità