Diodes Inc. ZXMHC6A07N8TC
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Production
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -19.82%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Parti correlate
Diodes Inc.DMN6070SSD-13
DiodesZetex NChannel EnhancedMOSTube, Vds=60 V, 4.1 A, SOICencapsulation, surface mount, 8Pin
VishaySI7949DP-T1-E3
Dual P-Channel 60 V 0.064 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK SO-8
VishaySI9945BDY-T1-GE3
SI9945BDY Series 60V 0.058 Ohm 20nC Dual N-Channel Surface Mount Mosfet - SOIC-8
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. ZXMHC6A07N8TC fornite dai suoi distributori.
Quad N/P-Channel 60 V 0.35/0.60 Ohm 3.2/5.1 nC 0.87 mW Silicon Mosfet SOIC-8
60V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge, 0.87 W, RoHS
Diodes Inc SCT
Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
DiodesZetex N/PChannel EnhancedMOSTube, Vds=60 V, 1.4 A，1.8 A, SOICencapsulation, surface mount, 8Pin
MOSFET DUAL N/P-CH 60V 1.8A/1.42A SOIC8
MOSFET Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.39A I(D), 60V, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
场效应管, MOSFET, P/N沟道, 60V, 1.39A;
DiodesZetex ZXMHC6A07N8TC パワーMOSFET
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -19.82%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.39 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance250 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Fall Time5.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance166 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.36 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels4
Number of Elements4
Power Dissipation1.36 W
Rds On Max250 mΩ
Rise Time2.3 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time1.6 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width4 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità