onsemi NTMD4184PFR2G
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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 SnapEDA | SimboloImpronta | Scarica | |
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Supply Chain
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-03-26
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2022-09-29
LTD Date2023-03-29
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
Parti correlate
InfineonIRF9389TRPBF
MOSFET 2N+2P Ch 30V 6.8A 27mΩ@10V 6.8A 4.6A 398pF@15V SOIC-8 SMD 1.75mm H
onsemiNTMD4884NFR2G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Dual Mosfet Transistor 3.3A Ta 5.7A 2.3W 1.4ns
VishaySI4936CDY-T1-GE3
Dual N-Channel 30 V 0.04 Ohm 2.3 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
InfineonIRF7306PBF
MOSFET, Power;Dual P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.1Ohm;ID -3.6A;SO-8;PD 2W;VGS +/-20V
Descrizioni
Descrizioni di onsemi NTMD4184PFR2G fornite dai suoi distributori.
Single P-Channel 30 V 165 mOhm 4.2 nC 2.31 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8
Dual P-Channel FETKY™ Power MOSFET -30V -4.0A 95mΩ
MOSFET, P-CH, 30V, 3.3A, 150DEG C, 1.6W; Available until stocks are exhausted
Trans MOSFET P-CH 30V 3.3A 8-Pin SOIC N T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
场效应管, MOSFET, P沟道, 30V, 3.3A, 150度 C, 1.6W;
770mW(Ta) 20V 3V@ 250µA 4.2nC@ 4.5 V 1individualPChannel 30V 95mΩ@ 3A,10V 2.3A 360pF@10V SOIC-8 SMD mount 5mm*4mm*1.5mm
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance95 mΩ
Fall Time2.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance360 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.31 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2.31 W
Rds On Max95 mΩ
Rise Time12 ns
Turn-Off Delay Time18 ns
Turn-On Delay Time7.2 ns
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità