onsemi NTJS4151PT1
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Distributore
SKU
Min
Pkg
Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Trend storico dell'inventario non disponibile
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi NTJS4151PT1.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Parti alternative
Questo componente
Parti alternative
Price @ 1000
$ 0.169
Stock
64,599
2,547,406
Authorized Distributors
0
6
Mount
-
-
Case/Package
SOT-363-6
SOT-363-6
Drain to Source Voltage (Vds)
20 V
20 V
Continuous Drain Current (ID)
3.3 A
3.3 A
Threshold Voltage
-
-400 mV
Rds On Max
60 mΩ
60 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
12 V
12 V
Power Dissipation
1 W
1 W
Input Capacitance
850 pF
850 pF
Descrizioni
Descrizioni di onsemi NTJS4151PT1 fornite dai suoi distributori.
MOSFETs- Power and Small Signal -20V -4.2A P-Channel No-Cancel/No-Return
TRENCH POWER MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363
RES SMD 1.2M OHM 1% 1/4W 1206
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
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Modelli CAD
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Parti alternative
1 parte disponibile
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-363-6
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.3 A
Current Rating-3.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance60 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)20 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance850 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation1 W
Rds On Max60 mΩ
Turn-Off Delay Time2.7 ns
Voltage Rating (DC)-20 V
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCAffected
RoHSNon-Compliant
Dichiarazioni di conformità