onsemi NTJS4151PT1G
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
onsemiNTJS3157NT1G
NTJS3157N: Power MOSFET 20V 4A 60 mOhm Single N-Channel SC-88/SC70-6/SOT-363
Rochester ElectronicsBSD214SNL6327
Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
Descrizioni
Descrizioni di onsemi NTJS4151PT1G fornite dai suoi distributori.
NTJS4151P: Power MOSFET 20V 4.2A 60 mOhm Single P-Channel SC-88/SC70-6/SOT-363
P-Channel 20 V 47 mOhm 1 W Surface Mount Trench Power MOSFET - SOT-363
Single P−Channel Trench Power MOSFET -20V -4.2A 60mΩ
NTJS4151PT1G P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 4.2 A, 20 V, 6-PIN SC-88
1W(Ta) 12V 1.2V@ 250¦ÌA 10nC@ 4.5 V 1individualPChannel 20V 60m¦¸@ 3.3A,4.5V 3.3A 850pF@10V SC-88£¬SOP-8£¬SOT-23£¬SOT-363 SMD mount 2.2mm(Length)*1mm(height)
P Channel Mosfet, -20V, 4.2A, Sc-88, Full Reel; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:4.2A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:4.5V; Power Dissipation:1W Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTJS4151PT1G.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -100%
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-363-6
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.3 A
Current Rating-3.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance60 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance850 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation1 W
Rds On Max60 mΩ
Resistance47 MΩ
Rise Time1.7 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-400 mV
Turn-Off Delay Time2.7 ns
Turn-On Delay Time850 ps
Voltage Rating (DC)-20 V
Dimensions
Height1 mm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità