onsemi MJD45H11RLG
$ 0.402
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Modelli CAD
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Parti alternative
1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Questo componente
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Price @ 1000
$ 0.402
$ 0.353
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Stock
1,160,919
6,319,818
6,319,818
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
DPAK
TO-252-3
TO-252-3
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
80 V
Max Collector Current
8 A
8 A
8 A
Transition Frequency
90 MHz
90 MHz
90 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
1 V
1 V
hFE Min
40
40
40
Power Dissipation
1.75 W
1.75 W
1.75 W
Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
onsemiMJD45H11T4G
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount
onsemiNJVMJD45H11T4G
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Descrizioni
Descrizioni di onsemi MJD45H11RLG fornite dai suoi distributori.
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
8 A, 80 V PNP Power Bipolar Junction Transistor
80V 1.75W 40@4A,1V 8A PNP TO-252 Bipolar Transistors - BJT ROHS
MJD Series 80 V 8 A PNP Complementary Power Transistor - TO-252-3
ON SEMI MJD45H11RLG PNP BIPOLAR TRANSISTOR, 8 A, 80 V, 3-PIN DPAK
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -80V, TO-252-4; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -80V; Transition Frequency ft: 90MHz; Power Dissipation Pd: 20W; DC Collector Current: -8A; DC Current Gain hFE: 40hFE; Tran
Power Transistor, Pnp, -80V, D-Pak; Transistor, Polaridad:Pnp; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:-80V; Frecuencia De Transición Ft:90Mhz; Disipación De Potencia Pd:1.75W; Corriente De Colector Dc:-8A; Ganancia De Corriente Dc Hfe:40 |Onsemi MJD45H11RLG
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
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1 parte disponibile
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)5 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating-8 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency90 MHz
Gain Bandwidth Product90 MHz
hFE Min40
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current8 A
Max Frequency20 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Power Dissipation1.75 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency90 MHz
Voltage Rating (DC)-80 V
Dimensions
Height2.38 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità