onsemi MJD44H11TM

8 A, 80 V NPN Power Bipolar Junction Transistor
Obsolete
Pagina del produttoreScheda dati

Prezzo e stock

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DistributorSKUMinPkg
Flip ElectronicsMJD44H11TM10.000
6d
element14 APAC
2
MJD44H11TM01Cut Tape
17h
Farnell
2
MJD44H11TM01Cut Tape
1d
Win SourceWS-MJD44H11TM10.200185
4h
Worldway ElectronicsMJD44H11TM29.0417Tape & Reel
3h

Schede tecniche e documenti

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Scheda dati ufficiale2 anni fa

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Parti alternative

Questo componente
Parti alternative
onsemiMJD44H11TM
onsemiMJD44H11T4G
onsemiMJD44H11T4G
Price @ 1000
$ 0.293
$ 0.293
Stock
164,974
8,881,288
8,881,288
Authorized Distributors
3
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
80 V
Max Collector Current
8 A
8 A
8 A
Transition Frequency
50 MHz
85 MHz
85 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
1 V
1 V
hFE Min
40
40
40
Power Dissipation
1.75 W
1.75 W
1.75 W

Supply Chain

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)

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Descrizioni

Descrizioni di onsemi MJD44H11TM fornite dai suoi distributori.

8 A, 80 V NPN Power Bipolar Junction Transistor
onsemi
MJD Series NPN 1.75 W 80 V 8 A SMT Epitaxial Silicon Transistor - TO-252-3
Future Electronics
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin
IHS
TRANSISTOR, NPN, D-PAK; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency Typ ft:50MHz; Power Dissipation Pd:1.75W; DC Collector Current:8A; DC Current Gain hFE:60; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:1V; Continuous Collector Current Ic Max:3A; Current Gain Hfe Max:400; Current Ic Continuous a Max:8A; Current Ic hFE:3A; Current Ic hfe -Do Not Use See ID 1182:3000mA; DC Current Gain Hfe Max:400; DC Current Gain Hfe Min:200; Gain Bandwidth ft Typ:50MHz; Hfe Min:200; Package / Case:D-PAK; Power Dissipation Pd:1.75W; Power Dissipation Ptot Max:20W; Termination Type:SMD
element14 APAC

Immagini

Augswan
Newark
element14 APAC
Conrad
Rochester Electronics

Alias del produttore

onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • MJD44H11TM.