onsemi MJD32CRLG
$ 0.432
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
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Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -14.85%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi MJD32CRLG.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | Impronta | 3D | Scarica |
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Parti alternative
Questo componente
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Price @ 1000
$ 0.432
$ 0.282
$ 0.282
Stock
346,502
3,941,355
3,941,355
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
-
-
Max Collector Current
3 A
3 A
3 A
Transition Frequency
3 MHz
3 MHz
3 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.2 V
1.2 V
1.2 V
hFE Min
10
10
10
Power Dissipation
1.56 W
1.56 W
1.56 W
Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi MJD32CRLG fornite dai suoi distributori.
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
3.0 A, 100 V PNP Bipolar Power Transistor
MJD32 Series PNP 100 V 1.56 W Complementary Power Transistor - TO-252-3
ON SEMI MJD32CRLG PNP BIPOLAR TRANSISTOR, 3 A, 100 V, 3-PIN DPAK
100V 15W 3A 10@3A4V 3MHz 1.2V@3A375mA PNP -65¡Í~+150¡Í@(Tj) DPAK Bipolar Transistors - BJT ROHS
1.2V@ 375mA,3A PNP 1.56W 5V 50¦ÌA 100V 100V 3A TO-252 6.73mm*6.22mm*2.38mm
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Transistor Polarity:Pnp; Collector Emitter Voltage Max:100V; Continuous Collector Current:3A; Power Dissipation:15W; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pins; Transition Frequency:3Mhz; Operating Temperature Max:150°C Rohs Compliant: Yes |Onsemi MJD32CRLG.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -14.85%
Modelli CAD
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Parti alternative
1 parte disponibile
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Current Rating-3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency3 MHz
Gain Bandwidth Product3 MHz
hFE Min10
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current3 A
Max Frequency1 kHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation15 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Power Dissipation1.56 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency3 MHz
Voltage Rating (DC)-100 V
Dimensions
Height2.38 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità