onsemi HUF76629D3ST
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1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Questo componente
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Stock
688,207
248,488
Authorized Distributors
6
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-252-3
TO-252-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
20 A
20 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
52 mΩ
52 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
16 V
16 V
Power Dissipation
150 W
110 W
Input Capacitance
1.285 nF
1.285 nF
Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTD20NF10T4
N-channel 100 V, 0.038 Ohm typ., 25 A STripFET II Power MOSFET in a DPAK package
onsemiNVD6495NLT4G
N-Channel Logic Level Power MOSFET 100V, 25A, 50mΩ Automotive Power MOSFET 100V Logic Level
InfineonIRLR3410TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 17 A, 105 Milliohms, TO-252AA (DPAK), 3 Pins, Surface Mount
InfineonIRLR3410PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.105Ohm;ID 17A;D-Pak (TO-252AA);PD 79W
Descrizioni
Descrizioni di onsemi HUF76629D3ST fornite dai suoi distributori.
N-Channel Logic Level UltraFET® Power MOSFET 100V, 20A, 52mΩ
PWR MOS ULTRAFET 100V/20A/0.055 OHMS N-CH LL TO-252AA T&R
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
Avnet Japan
MOSFETs 20a,100V, 0.054 Ohm Logic Level N-Ch
场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 20A, 175度 C, 150W;
MOSFET, N-CH, 100V, 20A, 175DEG C, 150W;
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
110W(Tc) 16V 3V@ 250µA 46nC@ 10 V 1individualNChannel 100V 52mΩ@ 20A,10V 20A 1.285nF@25V TO-252AA SMD mount 6.73mm*6.22mm*2.39mm
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -92.45%
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Current Rating20 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance55 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time60 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance1.285 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation150 W
Rds On Max52 mΩ
Resistance54 mΩ
Rise Time28 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height2.517 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità