onsemi FQU1N80TU
$ 0.419
Obsolete
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Tendenza a 3 mesi: +0.00%
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0 parti disponibili
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2001-06-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTD1NK80Z-1
MOSFET N-CH 800V 1A IPAK / Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
onsemiFQU2N60CTU
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.9A; 4.7ohm; 2.5W; -55+150 deg.C; THT; IPAK
STMicroelectronicsSTD1NK60-1
STD1NK60-1 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 1 A, 600 V, 3-PIN TO-252
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FQU1N80TU fornite dai suoi distributori.
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 800 V, 1.0 A, 20 Ω, IPAK
Single N-Channel 800 V 2.5 W 7.2 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-251
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 800V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:800V; Continuous Drain Current, Id:1A; On Resistance, Rds(on):20ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:I-PAK ;RoHS Compliant: Yes
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-251-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight343.08 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)1 A
Current Rating1 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance20 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance195 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max20 Ω
Rise Time25 ns
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)800 V
Dimensions
Height9.85 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità